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产品信息
FDC6303N数字场效应管，双N沟道概述这些双N沟道逻辑电平增强型场场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，高密度， DMOS技术。这非常高的密度工艺特别适合于减小导通状态性。该设备已经通过特别设计的低电压应用中，以替换数字晶体管在负载开关应用。由于偏见电阻器不是必需的这一个N沟道FET可以更换几个数字晶体管具有不同的偏电阻类的IMHxA系列。特点25 V ， 0.68连续2高峰。RDS （ ON）= 0.6Ω@ VGS= 2.7 VRDS （ ON）= 0.45Ω@ VGS= 4.5 V.非常低的水平栅极驱动要求可直接操作3V电路。 VGS （ TH）< 1.5 V.门源齐纳的ESD耐用性。>6kV人体模型替换多个NPN数字晶体管（ IMHxA系列）一个DMOS FET