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产品信息
FET开关晶体管N沟道特点https://onsemi.com2 SOURCE•这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS柔顺3门额定值等级漏源电压漏极 - 栅极电压栅源电压正向栅电流符号VDSVDGVGSIG（ F）价值30303050单位VDCVDCVDCMADC122251.8556−55+150单位mW毫瓦/°C的° C / W°C6X MGG16xMG=具体设备守则=日期代码*= Pb-Free包装SOT−23CASE 31810风格31 DRAIN热特性特征器件总功耗FR- 5局（注1 ）TA= 25°C减免上述25℃热阻，结到环境结温和存储温度范围符号PDRqJATJ, T英镑标记图强调超过额定值可能会损坏设备。额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。1， FR - 5 = 1.00.750.062英寸