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产品信息
这60V P沟道MOSFET采用飞兆半导体的高电压的PowerTrench工艺。它已被优化用于功率管理的应用程序。特点•-15 , -60 V. řDS ( ON)= 100毫欧@ VGS= –10 VRDS ( ON)= 130毫欧@ VGS= –4.5 V•开关速度快•高性能沟道技术极低RDS ( ON)•高功率和电流处理能力应用•DC / DC转换器•电源管理•负荷开关这60V P沟道MOSFET采用飞兆半导体的高电压的PowerTrench工艺。它已被优化用于功率管理的应用程序。特点•-15 , -60 V. řDS ( ON)= 100毫欧@ VGS= –10 VRDS ( ON)= 130毫欧@ VGS= –4.5 V•开关速度快•高性能沟道技术极低RDS ( ON)•高功率和电流处理能力应用•DC / DC转换器•电源管理•负荷开关