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产品信息
概述这种P沟道MOSFET一直使用生产飞兆半导体专有的PowerTrench技术，提供低导通电阻和优化BVDSS能力提供了优越的性能优势应用程序。
额定值符号VDSSVDS （雪崩）VGSSID漏源电压参数漏源雪崩电压（）栅源电压连续漏电流@TC=25°C@TA=25°C脉冲（注3）（注1A ）（注1A ）（注3）（注1A ）（注1B ）（注4 ）评级–35–40±25–55–14–100573.81.6-55到+150单位VVVAPD功耗@TC=25°C@TA=25°C@TA=25°CWTJ, T英镑工作和存储结温范围°C° C / W热特性RθJCRθJARθJA热阻，结到外壳热阻，结到环境热阻，结到环境（注1 ）（注1A ）（注1B ）2.24096包装标志和订购信息器件标识FDD6637设备FDD6637包D- PAK （TO- 252）带尺寸13’’胶带宽度12mmQUANTITY2500台